Transfert de chaleur à l'échelle nanométrique dans les nano MOSFETs

Le concept des technologies à base de matériaux organiques ont connus une innovation rapide dans l'industrie des semi-conducteurs. L'avantage des matériaux organiques dans l'industrie de l'électronique est de créer des composants électroniques très puissants. En outre, les dispositifs à base de graphène sont fabriqués pour remplacer les les dispositifs à base de silicium. L'idée principale dans ce travail, est d'évaluer l'avantage des transistors à base de graphène. De plus, nous étudions la stabilité thermique des nano-transistors. Dans la première étape, nous étudions la capacité de notre modèle à prédire la conduction thermique dans nano transistors MOSFET de 10 nm de canal. D'autre part, nous avons étudié le processus de conduction dans les transistors à base de graphène. Le modèle balistique-diffusive (BDE), le modèle à double retard de phase (DPL) et un modèle électro-thermique ont été résolus numériquement pour évaluer le transport des phonons dans les nano transistors.

Auteur
Nasri, Faouzi
Faouzi Nasri a obtenu le doctorat en physique de la Faculté des sciences de Monastir, Monastir, Tunisie, en 2015. La thèse de doctorat est consacrée à la simulation numérique du transfert de chaleur dans les nano transistors MOSFETs. Il est actuellement professeur associé au Centre de recherche et de technologie de l'énergie de Borj-Cedria, en Tunisie.