Etude et Modélisation d'une cellule solaire au silicium polycristallin

Ce travail contribue à la simulation d'une cellule solaire à base de silicium polycristallin (poly-Si), fabriquée par la société française Irysolar de Montpellier. Nous avons établi des programmes de calculs sous l'environnement PSpice, permettant de tracer la caractéristique I-V et de calculer la puissance maximale délivrée par la cellule photovoltaïque correspondante. L'objectif de cette étude est de comparer les paramètres caractéristiques de la cellule, obtenus par nos estimations et ceux trouvés expérimentalement par l'équipe d'Irysolar de Montpellier (France). Après la validation des résultats par notre simulation, on optimise ensuite dans ce travail les performances de la cellule par l'étude de l'influence de certains paramètres sur le rendement comme l'épaisseur de la jonction, longueur de diffusion des porteurs, les vitesses de recombinaisons, la résistance shunt, la résistance série et la température.

Auteur

Docteur en Physique, Benyettou fethi est né en 1987 à Chlef. Il est un ingénieur en électronique et possède un magister en physique (Conversion Photovoltaïque). Ses écrits et publications concentrent sur l'étude des cellules solaires ainsi les photodétecteurs nano-structures.

Texte du rabat

Ce travail contribue à la simulation d'une cellule solaire à base de silicium polycristallin (poly-Si), fabriquée par la société française Irysolar de Montpellier. Nous avons établi des programmes de calculs sous l'environnement PSpice, permettant de tracer la caractéristique I-V et de calculer la puissance maximale délivrée par la cellule photovoltaïque correspondante. L'objectif de cette étude est de comparer les paramètres caractéristiques de la cellule, obtenus par nos estimations et ceux trouvés expérimentalement par l'équipe d'Irysolar de Montpellier (France). Après la validation des résultats par notre simulation, on optimise ensuite dans ce travail les performances de la cellule par l'étude de l'influence de certains paramètres sur le rendement comme l'épaisseur de la jonction, longueur de diffusion des porteurs, les vitesses de recombinaisons, la résistance shunt, la résistance série et la température.