Diese Studie berichtet über das Wachstum von Zinnsulfid-Dünnfilmen unter Verwendung einer kostengünstigen chemischen Badabscheidungstechnik. Es ist so wichtig, die Entwicklung von Dünnfilmen zu kontrollieren. Es wurden verschiedene Analysen durchgeführt, wie z. B.: XRD, SEM, EDS, AFM, Spektrophotometrie und TSC. All diese Analysen ermöglichten es uns, die physikalischen Eigenschaften von SnS-Dünnfilmen für Solarzellen zu verbessern. In diesem Zusammenhang haben wir Zinnsulfid-Dünnschichten entwickelt, die als Absorbermaterial in Photovoltaikgeräten verwendet werden. Zu diesem Zweck wurden verschiedene Dotierungen wie Eisen, Silber und Gallium sowie ein Glühen in einer kontrollierten Atmosphäre vorgenommen, um die Leitfähigkeit dieser Dünnschichten zu erhöhen. Die Dotierung erfolgte während des Wachstumsprozesses durch Zugabe einer entsprechenden Konzentration der wässrigen Lösungen, die Fe2+-, Ag2+- und Ga2+-Ionen enthielten. Die physikalischen Eigenschaften wurden durch XRD, AFM, SEM und TSC untersucht. Später wurde festgestellt, dass die dotierten SnS-Dünnschichten nicht zu einer Verringerung des spezifischen Widerstands führen. Daher werden derzeit weitere physikalische Charakterisierungen durchgeführt, um die Eigenschaften der Dünnschichten und insbesondere den spezifischen Widerstand durch eine geeignete Wärmebehandlung unter kontrollierter Atmosphäre zu optimieren.

Autorentext

Meriem Reghima begann das Forschungsgebiet am Physiklabor für kondensierte Materie der Fakultät für Naturwissenschaften in Tunis in Zusammenarbeit mit der Universität Montpellier. Am 23. Januar 2015 promovierte sie an der Universität Montpellier in Physik. Sie ist Autorin und Mitautorin von sechs Publikationen, die sich mit dem Wachstum von SnS befassen.